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    2008-8-22 9:55:00 [点击下载:200882295529605.doc]

    SiH4 矽甲烷……製程氣體(洩漏有爆炸危險) NH3 氨……製程氣體 N2O 笑氣……製程氣體 PH3 磷化氫……製程氣體 N2 氮氣……製程氣體,常用為破真空Vent或吹乾的媒介 H2 氫氣……製程氣體 NF3 氟化氮……製程氣體,常用為清除CVD反應室壁沈積矽Si媒介 Kr 氪氣……製程氣體,用來轟擊濺鍍機上的金屬靶 Ar 氬氣……製程氣體,用來轟擊濺鍍機上的金屬靶或常用為加熱設備的熱傳媒介 O2 常用來作電漿的基本組成, BCl3 氯化硼……製程氣體,在乾蝕刻中用以作為蝕刻AlNd的電漿源 SF6 氟化硫……製程氣體,常用的主要乾蝕刻電漿源以為提供蝕刻主原料氟的來源 He 氦氣……製程氣體,混合在其它製程氣體中,共同形成電漿源,使電漿組成分佈均勻 Cl2 氯氣……製程氣體 HCl 氯化氫……製程氣體,蝕刻n+時的電漿源之一 CF4 四氟化碳……製程氣體,常用的主要乾蝕刻電漿源以為提供蝕刻主原料氟的來源
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